Тип: внутренний
Емкость: 2000 ГБ
Форм фактор: M.2
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3
Контроллер: Samsung Phoenix
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 3300 Мб/сек
*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Внешняя скорость считывания: 3500 Мб/сек /*Производительность может отличаться в зависимости от аппаратного обеспечения и конфигурации системы
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 19000 IOPS
Випадкове зчитування (4KB, QD 1)
Скорость записи до: 620000 IOPS
Випадковий запис (4KB, QD 1)
Рабочее напряжение: 3.3 В
температура
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование:
256-розрядне
Поддержка SMART: да
Поддержка режима сна: да
GC (сборка мусора): да
Ширина: 20 мм
Высота: 100 мм
Длина: 140 мм
Вес: 0.08 кг
Объем: 0.0003 м3
Показать все характеристики...