Накопители SSD Transcend MTE220S 512GB PCIe 3.0 x4 M.2 TLC (TS512GMTE220S)

Код товара: 1851736
Доступен 0 отзывов
2 566 грн

Краткие характеристики

Тип накопителя: Внутренний
Объем памяти: 512 ГБ
Тип памяти NAND: TLC
Особенности памяти: 3D
Скорость чтения, Мб/сек: 3500
Скорость записи, Мб/сек: 2800
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Форм-фактор: M.2 2280
Время наработки на отказ: 2 млн. часов
Размеры, мм: 80 x 22 x 3.58
Вес, г: 8

Описание Накопители SSD Transcend MTE220S 512GB PCIe 3.0 x4 M.2 TLC (TS512GMTE220S)

Твердотельный накопитель с интерфейсом PCIe
Твердотельный накопитель Transcend MTE220S оснащен интерфейсом PCI Express Gen3 x4 с поддержкой стандарта NVMe и демонстрирует выдающуюся производительность. Изделие устанавливают в высокопроизводительные системы, использующиеся для задач, которые требуют максимального уровня готовности и не допускают малейших задержек — рабочих станций для обработки аудио и видео, игровых ПК, а также корпоративных решений. Построенный на базе флэш-памяти 3D TLC NAND, твердотельный накопитель не только обеспечивает высокую скорость передачи данных, но также демонстрирует высочайший уровень надежности.

Что такое интерфейс PCIe
Интерфейс PCIe (или PCI Express) используется для соединения хост-компьютера с твердотельным накопителем. Данная технология использует одну или более линий, по каждой из которых осуществляются передача и прием данных, а также отличается от SATA (или Serial ATA) значительно более высокой производительностью, что позволяет MTE220S в лучшей степени соответствовать требованиям современных высокоскоростных систем и устройств.

Что такое стандарт NVMe
NVMe (или NVM Express) — это интерфейс хост-контроллера, созданный для использования в корпоративных и клиентских системах, которые оснащены твердотельным накопителем с интерфейсамом PCI Express. Стандарт NVMe подразумевает более высокий уровень производительности, чем AHCI (Advanced Host Controller Interface), в том числе, он содержит требования относительно масштабирования пропускной способности, большего количества операций ввода/вывода в секунду и минимизации задержек.

3D-технологии раздвигают пределы возможного
В отличие от прежних, плоских по своей структуре микросхем NAND, ячейки флэш-чипы 3D NAND располагаются в нескольких плоскостях и могут находиться одна над другой. Технология 3D NAND призвана преодолеть существующие ограничения плотности размещения ячеек флэш-памяти, а также повысить уровень производительности и долговечности этого типа памяти.

Долговечность и высокая надежность
MTE110S поддерживает эффективный алгоритм выявления и исправления ошибок ECC, LDPC (Low-Density Parity Check), которые помогают обеспечить надежность хранения вашей информации. Изготовленный на основе высококачественных микросхем флэш-памяти NAND TLC и оснащенный механизмами динамического регулирования производительности для предотвращения перегрева, твердотельный накопитель отличается долговечностью и высокой надежностью.

Гарантия качества
Для обеспечения максимального уровня качества твердотельный накопитель прошел тщательное тестирование на всех этапах производства, в том числе, проверялась его вибро-, термо- и влагоустойчивость, производительность и функциональность.