Твердотельный накопитель SSD Samsung 2.5 860 Evo 2TB Sata 3bit MLC (JN63MZ-76E2T0BW)

Код товара: 3332180
• Нет в наличии 0 отзывов
Сообщить о наличии

Характеристики

Краткие характеристикиВес: 0.10 кг
ddp: 1
ean: 8810000000000
exist: 1
avail: 1
warehouse1: 1
GC (сборка мусора): Да
Аппаратное шифрование: Да
Бренд: Samsung
Вес накопителя: 51 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Внешняя скорость записи: 520 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Внешняя скорость считывания: 550 Мб/сек /* Рабочие характеристики могут меняться в зависимости от конфигурации компьютерной системы и тестового ПО
Высота: 140 мм
Длина: 20 мм
Емкость: 2000 ГБ
Интерфейс: SATA 3
Контроллер: Samsung MJX Controller
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Объем: 0.0003 м3
Поддержка S.M.A.R.T.: Да
Поддержка Trim: Да
Поддержка WWN: Да
Поддержка режима сна: Да
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 X 69.85 X 6.8 мм
Скорость записи до: 42000 IOPS (4KB, QD1)
Скорость чтения до: 10000 IOPS (4KB, QD1)
Тип: внутренний
Тип NAND памяти: V-nand
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Форм фактор: 2.5"
Ширина: 100 мм
Страна-производитель товара: Китай
Страна регистрации бренда: Китай
Краткие характеристикиВес: 0.10 кг
ddp: 1
ean: 8810000000000
exist: 1
avail: 1
warehouse1: 1
GC (сборка мусора): Да
Аппаратное шифрование: Да
Бренд: Samsung
Вес накопителя: 51 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Внешняя скорость записи: 520 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Внешняя скорость считывания: 550 Мб/сек /* Рабочие характеристики могут меняться в зависимости от конфигурации компьютерной системы и тестового ПО
Высота: 140 мм
Длина: 20 мм
Емкость: 2000 ГБ
Интерфейс: SATA 3
Контроллер: Samsung MJX Controller
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Объем: 0.0003 м3
Поддержка S.M.A.R.T.: Да
Поддержка Trim: Да
Поддержка WWN: Да
Поддержка режима сна: Да
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 X 69.85 X 6.8 мм
Скорость записи до: 42000 IOPS (4KB, QD1)
Скорость чтения до: 10000 IOPS (4KB, QD1)
Тип: внутренний
Тип NAND памяти: V-nand
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Форм фактор: 2.5"
Ширина: 100 мм
Страна-производитель товара: Китай
Страна регистрации бренда: Китай